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기록

具有交叉点结构的半导体器件

발명알 수 없음
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20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

金京完

출원일

Jan 19, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

G11C 7/10 (2006.01)

本公开涉及具有交叉点结构的半导体器件。一种半导体器件包括:局部X开关块;第一辅助X开关块,其与局部X开关块在第一方向上对齐并重叠,设置在第一行;多个第一单元区域,其沿第一方向彼此对齐,设置在第一行并且位于局部X开关块与第一辅助X开关块之间;以及第一X线,其从局部X开关块延伸,以沿第一方向穿过多个第一单元区域。局部X开关块包括沿第二方向彼此对齐的多个局部X开关,该第二方向垂直于第一方向。第一辅助X开关块包括第一辅助X开关。第一X线包括:第一外X线,其与第一辅助X开关和多个局部X开关中的第一个局部X开关电连接;以及第一内X线。