动态随机存取存储单元及存储系统

本申请涉及一种动态随机存取存储单元及存储系统。其中存储单元包括：写入晶体管；写入晶体管的栅极与写字线相连，其第一端与写位线相连，其第二端耦合至存储节点；写入晶体管用于将写位线上的输入数据写入存储节点；读取晶体管；读取晶体管的栅极与存储节点相连，其第一端与读位线相连，其第二端与读字线相连；读取晶体管用于将存储节点的存储数据传递至读位线；反馈恢复电路，连接在写入晶体管和存储节点之间，用于在存储节点的电压偏离预设电压范围时，将存储节点电压恢复至预设电压范围内。其中，写入晶体管与读取晶体管为不同沟道类型的MOS器件。该存储单元可降低漏电流在低温下对存储单元的数据保存时间的影响，提高低温下的数据保存时间。