一种高速高功率片上光源及其制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种高速高功率片上光源及其制备方法。所述高速高功率片上光源包括激光器芯片和SOI基底；激光器芯片包括激光器区，激光器区包括自下而上依次层叠的衬底、n型包层、有源区、超薄InP层、p型重掺杂石墨烯层和光限制层；SOI基底包括自下而上依次层叠的本征石墨烯层和钝化层，衬底与钝化层键合连接；其中，p型重掺杂石墨烯层提供空穴，利用石墨烯材料的高迁移率，提高空穴迁移速率，并与n型包层提供的电子在所述有源区复合而发光；同时利用石墨烯材料的高导热率，将复合发光产生的热量通过本征石墨烯层快速导出。本发明可以通过提高空穴注入效率和衬底散热效率，来实现激光器出光功率和调制带宽的提升。