一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

本申请涉及激光器的技术领域，尤其是涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，包括外延层的有源层与P型DBR层之间设置电流阻挡层，电流阻挡层材料为AlInGaAs；电流阻挡层中心刻蚀形成透光孔；有源层和电流阻挡层间设置组分渐变的渐变层，透光孔底部设置ALD修复层。本申请依靠能带势垒阻挡电子横向泄漏，实现电流‑光学限制解耦，实现与GaAs准晶格匹配，消除氧化带来的应力裂纹失效，MTTF得到显著提升。制备方法包含干法刻蚀、ALD原位退火与脉冲原子级界面修复步骤，抑制刻蚀引入穿透位错，器件适合高速单模光通信应用。