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기록
热处理腔室及热处理设备
발명알 수 없음
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
출원인
北京屹唐半导体科技股份有限公司; 屹唐半导体科技(北京)有限责任公司
발명자
石岱; 曹红波; 薛俊辉; 刘春峰; 韩愈
출원일
Jul 14, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H05B 3/00 (2006.01)H05B 3/02 (2006.01)F21V 7/00 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)
本公开实施例提供一种热处理腔室及热处理设备,其中,热处理腔室包括顶室、底室、设置于所述顶室中的上灯光源、设置于所述底室中的下灯光源,以及位于所述上灯光源和下灯光源之间且外围设有边缘反射板组的晶圆支撑结构,所述晶圆支撑结构为静态支撑件;所述腔室内还设有用于均衡晶圆中部与边缘之间过渡区域光强的楔形反射板组件;所述楔形反射板组件包括上楔型反射板和下楔型反射板;所述热处理腔室具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁,以及相对设置的第三侧壁和第四侧壁;所述上楔型反射板安装于所述第一侧壁和第二侧壁,所述下楔型反射板安装于所述第三侧壁和第四侧壁。本公开实施例的技术方案可以提升整体光能利用率。
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