一种半导体器件及其制造方法、电子设备

一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：至少一个存储单元，存储单元包括垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一半导体层形成开口方向背离衬底的第一筒状结构，第一栅电极填充第一筒状结构且延伸至第一筒状结构外；第二半导体层形成垂直延伸且两端开口的第二筒状结构，第二栅电极填充第二筒状结构，第二半导体层和第二栅电极朝向衬底一侧设置有封闭第二筒状结构朝向衬底一侧的开口的第二隔离层，第三电极包裹第二隔离层且环绕第二半导体层且与第一栅电极背离衬底一侧连接。本公开实施例提供的方案，便于一次性制造第一晶体管和第二晶体管的半导体层和栅电极，减少工艺步骤，降低成本。