半导体器件及其制造方法

所述半导体器件包括：沿第一方向延伸的多个字线；沿相对于第一方向的斜线方向延伸的多个有源区，多个有源区被配置为与字线结构重叠；多个位线焊盘区，每个位线焊盘区与有源区的一端重叠；多个存储节点焊盘区，每个存储节点焊盘区与有源区的另一端重叠；多个第一焊盘绝缘区，每个第一焊盘绝缘区与位线焊盘区接触，与字线结构的一侧接触，并且具有第一高度；以及多个第二焊盘绝缘区，每个第二焊盘绝缘区与存储节点焊盘区接触，与字线结构的另一侧接触，具有比第一高度高的第二高度。