半导体装置以及其制造方法

本发明公开了一种半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括衬底、隔离结构和堆叠结构。隔离结构和堆叠结构设置在衬底中，衬底包括被隔离结构定义的有源结构，且有源结构包括鳍状结构位于单元区中。隔离结构包括第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构分别位于周围区和单元区中。堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构且包括导电层和介电盖层。导电层部分位于单元区和周围区中。介电盖层设置在导电层上，介电盖层位于单元区中且延伸至周围区中，且介电盖层在垂直方向上覆盖位于周围区中的导电层，并覆盖在水平方向上被夹设在导电层与衬底之间的第一沟槽隔离结构。如此，可改善半导体装置的制造合格率。