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기록
半导体装置
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 99/00 (2023.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/68 (2025.01)H10D 30/69 (2025.01)H10B 10/00 (2023.01)H10B 12/00 (2023.01)H10B 41/27 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 51/20 (2023.01)
提供一种同一个芯片中具备种类不同的存储器件的半导体装置。提高两个存储器件之间的数据传输速度。半导体装置包括第一层、第二层以及第三层。第一层包括多个非易失性第一存储元件在第一层的厚度方向上层叠的第一存储装置。第二层包括具有多个第二存储元件的第二存储装置,该第二存储元件包括具有氧化物半导体的晶体管。第三层包括控制第一存储装置的工作的第一驱动电路和控制第二存储装置的工作的第二驱动电路。第一层、第二层以及第三层具有互相重叠的部分。