垂直晶体管的外延结构及其制备方法和应用

本发明公开了一种垂直晶体管的外延结构及其制备方法和应用，属于半导体材料生长技术领域。本发明提出了AlN/GaN复合阻挡层方案与有机卤化物原位刻蚀相结合的新方法来制备高性能CAVET外延结构，本发明采用的AlN/低温GaN复合阻挡层设计，充分利用AlN的高键能优势，降低Mg原子在阻挡层中的扩散系数，可以减少阻挡层厚度。同时AlN具有的高临界击穿场强可以进一步提升器件耐压。本发明提出的构建CAVET的外延结构的方法，不仅可以有效提升二维电子气的迁移率与密度，还可以实现低杂质含量与低损伤的高质量二次外延界面，有效提升器件的正向特性与反向特性。