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기록

集成电路装置

발명알 수 없음
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

安素荣; 徐知亨; 梁锡; 李商文

출원일

Dec 22, 2025

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10D 84/83 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/80 (2025.01)

提供了一种集成电路装置及其制造方法,其中,在该集成电路装置中,布置弯曲的沟道层以改善电气特性,并且在形成在源极/漏极区的侧壁上的内间隔件中不形成栅极绝缘材料,从而减小寄生电容。