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集成电路装置
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 84/83 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/80 (2025.01)
提供了一种集成电路装置及其制造方法,其中,在该集成电路装置中,布置弯曲的沟道层以改善电气特性,并且在形成在源极/漏极区的侧壁上的内间隔件中不形成栅极绝缘材料,从而减小寄生电容。
IPC 분류
提供了一种集成电路装置及其制造方法,其中,在该集成电路装置中,布置弯曲的沟道层以改善电气特性,并且在形成在源极/漏极区的侧壁上的内间隔件中不形成栅极绝缘材料,从而减小寄生电容。