一种适用于太空辐射环境的晶体硅太阳电池及其制备方法

本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳电池，尤其涉及一种适用于太空辐射环境的晶体硅太阳电池及其制备方法。本发明仅在正面和/或背面的局域区域设置TOPCon钝化接触结构，使增强结构精确作用于载流子收集的关键区域，在不对整体结构进行全面替换的情况下，实现对辐射敏感区域的定向防护，更有效地减缓电池在太空环境中的性能衰减，并且本发明在TOPCon钝化接触结构与扩散掺杂区域之间设置过渡区域，使掺杂浓度、载流子浓度或界面态密度在空间上呈渐变或等效阶梯式分布，缓解不同结构区域之间的电学突变，改善载流子输运连续性，进一步降低辐射环境下的局部复合风险。