半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基板，所述基板包括相背的第一表面和第二表面，所述第一表面开设有第一开口；第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层从所述第一开口侧壁向远离所述第一开口侧壁的方向延伸第一距离，所述第二掺杂层从所述第一掺杂层远离所述第一开口的一端延伸至所述第二表面，其中，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层限定出第二开口；填充层，所述填充层位于所述第一开口内；第一电极，所述第一电极位于所述第二开口，其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均位于所述第一电极与所述基板之间。本发明的技术方案使得能够减小第一电极与基板之间的接触电阻，且使得接触电阻的均一性更高。