单光子雪崩光电二极管、制备方法和电子设备

本申请提供了一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管包括衬底、外延结构、掺杂区域、第一电极、第二电极和第三电极。掺杂区域从外延结构中帽层远离衬底的一侧朝向靠近衬底的一侧延伸。掺杂区域包括第一掺杂区域和环绕设置于第一掺杂区域四周的第二掺杂区域，第一掺杂区域和第二掺杂区域具有第一预设间隔。第一电极与衬底电连接，第二电极与第一掺杂区域电连接，第三电极与第二掺杂区域电连接，第二掺杂区域通过第三电极与外部电压源电连接，可以通过外部电压源实时动态调整第二掺杂区域的电压，从而可以基于偏置电压实现对于第一掺杂区域的边缘区域的电场强度的调控，满足高探测效率、低暗计数率、低后脉冲概率等需求。