一种低增益雪崩探测器结构及其制备方法

本申请提供了一种低增益雪崩探测器结构及其制备方法，包括高阻层，以及形成于高阻层靠近第一表面一侧的有源区，有源区包括第一导电类型的增益区，以及分别与增益区和第一表面相接的第二导电类型的第一接触区；其中，所述有源区内掺杂有碳。本申请通过在有源区内进行碳掺杂，使得有源区在辐照环境下产生的缺陷能够与碳结合，减少缺陷对有源区内载流子电性能的影响，进而使增益区在呈现出第一导电类型的半导体特性的同时，还可以表现出优异的抗辐照性能，提高了低增益雪崩探测器在高强度辐照环境下的工作稳定性。