混合集成光子芯片及其制备方法

本发明涉及光电子集成技术领域，公开了混合集成光子芯片及其制备方法。方法包括：提供基底层；在基底层的一侧形成光波导结构层，光波导结构层具有沿厚度方向相对的第一表面和第二表面，还包括多个功能结构和包层结构，功能结构包括第一调制单元和探测单元；形成自第一表面伸入包层结构以与探测单元相连接的第一接触电极，探测单元和第一接触电极用于形成探测器；形成自第二表面一侧伸入包层结构且形成在第一调制单元的旁侧的调控电极，第一调制单元和调控电极用于形成第一调制器。本发明中，从不同侧分别形成不同材料组成的光电器件的电极结构，有效解决了电极金属材料不同带来的工艺冲突，实现不同光电器件在同一芯片上的高效集成。