基于高导热夹层超晶格位错湮灭结构的器件及制备方法

本发明公开了一种基于高导热夹层超晶格位错湮灭结构的器件及制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括自下而上依次层叠的衬底、成核层、超晶格位错湮灭层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和帽层。超晶格位错湮灭层包括交替堆叠的若干周期性单元，每个周期性单元至少包括氮化铝层和氮化镓层，或还包括设置于二者之间的高导热夹层，高导热夹层热导率大于氮化镓热导率。本发明在超薄厚度内构建高密度异质界面实现位错密度指数级降低，同时通过超薄厚度设计及高导热夹层的声子输运快车道协同增强垂直热耗散，实现了晶体质量与散热效能的协同优化。