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一种钙钛矿/硅三结叠层太阳能电池及其制备方法
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 30/85 (2023.01)H10K 30/86 (2023.01)H10K 71/60 (2023.01)H10K 71/10 (2023.01)
本申请提供了一种钙钛矿/硅三结叠层太阳能电池及其制备方法,以硅薄膜叠层为底电池,依次层叠第一光电转换核心层和第二光电转换核心层,可减少热化损失,拓宽光谱响应,提升光利用率。第一光电转换核心层通过调控阳离子和卤素比例优化带隙与稳定性,匹配各子电池吸收。第一光电转换核心层和第二光电转换核心层中的钙钛矿前驱液均添加GuaPbBr,120℃低温退火即得纯α相钙钛矿薄膜,减少晶界缺陷,抑制载流子非辐射复合,提升迁移率和扩散长度,提高开路电压和填充因子。该低温工艺与叠层制备工艺高度兼容,可避免高温损伤底电池及功能层,确保各子电池性能。所得器件兼具高效率和优异的室温存储及光照稳定性,在光伏领域具有广阔应用前景。