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一种真空原位晶化制备具有(001)择优取向的钙钛矿薄膜的方法及具有该薄膜的钙钛矿晶硅叠层太阳电池的制备方法
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10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10K 71/00 (2023.01)C23C 14/24 (2006.01)C23C 14/12 (2006.01)C23C 14/06 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/30 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)H10K 71/16 (2023.01)H10K 71/40 (2023.01)H10K 85/50 (2023.01)H10K 39/15 (2026.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)
本申请涉及叠层电池技术领域，公开了一种真空原位晶化制备（001）择优取向钙钛矿薄膜的方法及钙钛矿/晶硅叠层太阳电池。该方法包括：提供具有载流子选择性传输层的晶硅底电池；在底电池上依次沉积透明导电氧化物薄膜和金属氧化物空穴传输层形成连接层；在金属氧化物空穴传输层上进行双SAM共组装处理，形成含咔唑基团或三苯胺基团的膦酸/羧酸衍生物与含氟官能团SAM的共组装层；将经SAM修饰的衬底置于高真空腔中加热并公转/自转，采用四源共蒸体系原位晶化形成α相（001）择优取向钙钛矿薄膜；沉积后进行分段退火。本发明通过双SAM修饰与PbCl取向调控协同作用，在真空工艺中直接获得高质量（001）择优取向钙钛矿薄膜，适用高效稳定的叠层太阳电池制备。