沉积致密SnO薄膜制备钙钛矿探测器保护层的方法及钙钛矿探测器件

本发明公开了一种沉积致密SnO薄膜制备钙钛矿探测器保护层的方法及钙钛矿探测器件。该方法包括：提供包含钙钛矿吸收层的待保护样品；在样品台温度不超过150℃的条件下，在所述钙钛矿吸收层的至少一侧表面沉积连续致密的SnO薄膜，且所述沉积过程中所述钙钛矿吸收层不发生热分解或相变；所述多步原子层沉积工艺包括依次进行的至少两个沉积阶段，后一阶段的氧源剂量高于前一阶段的氧源剂量；以所述SnO薄膜作为保护层，阻隔在所述SnO薄膜上进行的后续器件加工工艺中的液态溶剂直接接触所述钙钛矿吸收层。本发明所述方法使钙钛矿探测器能够兼容标准光刻、金属化和阵列互连工艺，适用于X射线探测器、可见光探测器及与TFT/CMOS读出电路集成的阵列探测器。