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기록
用于原位蚀刻和沉积材料的方法和系统
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
발명자
J·R·安图内斯阿方索; 福田秀明; 李训宏; 冈部凯
출원일
Apr 3, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10P 50/28 (2026.01)H10P 14/60 (2026.01)H10P 14/694 (2026.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)C23C 16/04 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/56 (2006.01)
提供了用于在衬底的表面上形成材料的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，衬底包括第二材料；将第一材料层保形地沉积到衬底上；选择性地蚀刻第一材料的至少一部分；以及保形地沉积第一材料的第二层。沉积第一材料的步骤和选择性地蚀刻第一材料的步骤在同一反应室中进行。