半导体器件及监测半导体器件的工艺缺陷的方法

本公开涉及半导体器件及监测半导体器件的工艺缺陷的方法。半导体器件包括包括有彼此间隔开的有源区的衬底和布置在有源区上的测试图案。测试图案包括：分别位于有源区上的测试结构，每个测试结构包括衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层上的导电层；第一测试接触件，其位于有源区的第一区域中的测试结构上，电连接到导电层；以及位于有源区的第二区域上的第二测试接触件。第二区域与第一区域间隔开。第二测试接触件电连接到有源区。测试图案还包括电连接到第一测试接触件的第一测试线，以及电连接到第二测试接触件并与第一测试线间隔开的第二测试线。