半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供预处理基板，所述预处理基板包括第一表面，所述第一表面开设有第一开口；在所述第一开口内形成牺牲层；在所述第一表面一侧形成掺杂层；从所述预处理基板远离所述第一表面一侧减薄所述预处理基板，直至暴露所述牺牲层，其中，减薄后的所述预处理基板为基板；去除所述牺牲层；形成填充层，所述填充层位于所述第一开口内。本发明的技术方案使得不仅能够形成所需的深沟槽隔离结构，还能降低暗计数率。