一种减少半导体工艺中金属污染的方法及半导体器件

本申请提供一种减少半导体工艺中金属污染的方法及半导体器件，半导体工艺包括沉积工艺和刻蚀工艺，方法包括：将晶圆放置于半导体设备中，执行沉积工艺，以在晶圆上形成目标材料层，其中，在沉积工艺结束后，沉积工艺所在的反应腔室中残留有第一气体；在沉积工艺结束后，且在刻蚀工艺开始前，执行气体隔离操作，以阻断第一气体与刻蚀工艺中通入的第二气体反应生成水汽，其中，气体隔离操作为时序物理隔离或空间物理隔离；执行刻蚀工艺，以对目标材料层进行刻蚀。本申请通过在执行刻蚀工艺之前执行气体隔离操作，从源头阻断第一气体与第二气体反应生成水汽，避免生成酸性物质腐蚀金属部件，减少晶圆的金属污染，改善器件性能和产品良率。