一种半导体隔离结构、P型LDMOS集成器件及其制备方法

本发明公开了一种高耐压的半导体隔离结构、P型LDMOS集成器件及其制备方法，半导体隔离结构包括P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层内设有多晶硅填充沟槽，多晶硅填充沟槽贯穿P型外延层并深及P型衬底，多晶硅填充沟槽的外侧分别设有第一多晶硅沟槽和第二多晶硅沟槽，第一多晶硅沟槽和第二多晶硅沟槽分别与多晶硅填充沟槽抵触，并深及P型外延层底部。P型LDMOS集成器件是一种包含所述半导体隔离结构的器件。制备方法是在外延上刻蚀沟槽并填二氧化硅以形成氧化物阻挡区，再在氧化物阻挡区上制备多晶硅填充沟槽、第一和第二多晶硅沟槽。本发明能够避免多晶硅填充沟槽的侧壁提前击穿，提高耐压。