一种硅通孔互连结构及制备方法

本发明提供了一种硅通孔互连结构及制备方法，其避免应力在拐角处集中，且降低热循环过程中不同材料间的热应力差值，进一步缓解应力集中现象，提升结构可靠性。一种硅通孔互连结构，其包括：硅基底；硅通孔，其为斜孔硅通孔或直孔硅通孔；钝化层；互连结构；以及阻焊层；所述硅通孔形成于硅基底、并在厚度方向连通到下方的芯片焊盘，所述硅通孔的底部径向外围、侧壁以及硅基底的上表面复合有所述钝化层，所述钝化层的上还复合有所述阻焊层，所述阻焊层、钝化层对应于硅通孔的区域设置有连通至芯片含片的通道，所述通道内填充所述互连结构。