半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、金属栅、接触插塞和设置在它们上方的第二介电层。关键在于，金属栅的顶部设有一凹槽，凹槽内填充有第二导电材料；栅极过孔贯穿第二介电层并与该第二导电材料电性连接。其制备方法包括：对金属栅上表面刻蚀回退形成凹槽；在凹槽内回填第二导电材料；形成覆盖器件的第二介电层及接触插塞；然后通过一次图形化刻蚀同时形成暴露第二导电材料的栅极过孔开口和暴露接触插塞的第一通孔开口；最后通过选择性沉积工艺填充该开口。本发明利用凹槽内的第二导电材料作为原位晶种，实现了栅极过孔无缺陷的自下而上填充，并形成了低电阻的同质金属接触，显著降低了接触电阻，提升了器件性能和良率。