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기록

半导体芯片、芯片堆叠结构和包括其的半导体封装件

발명알 수 없음
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

金知秀; 许汀银; 李相奉; 全在镐; 崔虎浚; 韩东焕

출원일

Nov 6, 2025

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10W 40/22 (2026.01)H10W 20/42 (2026.01)H10W 20/43 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10B 80/00 (2026.01)H10D 80/30 (2026.01)

根据本公开的一些实施例,一种半导体芯片包括:装置层,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;以及第一布线结构,在装置层的第一表面上。第一布线结构包括:第一过孔层,具有第一过孔;第一金属层,具有第一布线,第一金属层在与装置层的第一表面垂直的第一方向上堆叠在第一过孔层上;以及第一散热结构,包括第一散热膜,第一散热膜具有围绕第一过孔的底表面和侧表面的第一部分。第一散热结构包括2D材料,并且第一散热膜的第一部分的上表面接触第一布线的下表面。