一种低翘曲高密度存储芯片封装结构及其封装工艺

本发明属于半导体封装技术领域，具体公开了一种低翘曲高密度存储芯片封装结构及其封装工艺，封装结构包括封装基板、芯片堆叠单元、硅基辅助单元、互联结构、塑封层，封装基板用于承载芯片堆叠单元，封装基板表面设有互联焊盘，实现芯片堆叠单元与外部电路的电连接，硅基辅助单元装配于封装基板表面空余互联焊盘区域，相邻于芯片堆叠单元，互联结构将芯片堆叠单元连接，塑封层完全包覆芯片堆叠单元和互联结构。本发明通过低CTE基板、低CTE塑封料以及硅基辅助单元调整塑封体填充量和特殊封装工艺的协同作用，将整条基板封装体翘曲量控制在1mm以下，颗粒翘曲量控制在22um以下，有效避免因翘曲引起的分层、开裂等问题。