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案件記録

多层结构体的制造方法

発明不明
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5請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

小林宏树; 露木达朗; 牛山史三

出願日

Feb 4, 2026

公開日

Oct 16, 2026

IPC分類

C30B 29/24 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)

本发明的多层结构体的制造方法具有:第一外延成膜工序,在硅基板的(100)面上通过溅射形成向(100)面取向的第一层;第二外延成膜工序,在第一层上通过溅射形成向(100)面取向的Pt的第二层;以及第三外延成膜工序,在第二层上通过溅射形成向(100)面取向的第三层。

外部リソース