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Dossier
多层结构体的制造方法
InventionUnknown
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
小林宏树; 露木达朗; 牛山史三
Filing Date
Feb 4, 2026
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
C30B 29/24 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)
本发明的多层结构体的制造方法具有:第一外延成膜工序,在硅基板的(100)面上通过溅射形成向(100)面取向的第一层;第二外延成膜工序,在第一层上通过溅射形成向(100)面取向的Pt的第二层;以及第三外延成膜工序,在第二层上通过溅射形成向(100)面取向的第三层。
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