硅基板的热处理方法

本发明是一种热处理方法，其进行成膜热处理，该成膜热处理用于在主表面的晶面取向为{110}的硅基板的主表面形成膜，该热处理方法的特征在于包含下述步骤：将主表面的晶面取向为{110}的硅基板在540℃以下的炉内温度投入至热处理炉；在已投入至所述热处理炉的所述硅基板的主表面形成钝化膜并同时将所述硅基板升温；及，在所述升温后，进行所述硅基板的成膜热处理。由此，提供一种方法，其会抑制和控制Si{110}基板成膜时的主表面的粗糙度，特别是微小的凸起状缺陷。