对与硅锗相邻的硅的选择性蚀刻

一种用于形成FET的至少一部分的方法包括：接收衬底，该衬底包括外延生长的交替的硅层和硅锗层的纳米片；相对于这些硅层选择性地氧化这些硅锗层；将这些纳米片暴露于包含第一官能团和第二官能团的小分子物质。该方法进一步包括加热这些纳米片和该小分子物质以将该第一官能团附接到这些硅锗层并使该第二官能团气化，以及使用蚀刻气体选择性地各向同性地蚀刻这些硅层的至少一部分，其中该第一官能团选择性地阻滞对这些硅锗层的蚀刻。