一种基于前驱体致密化CVD结合分步前驱体制备过渡金属二硫族化合物异质结的方法

本发明公开了一种基于前驱体致密化CVD结合分步前驱体制备过渡金属二硫族化合物异质结的方法，包括将第一金属氧化物前驱体与第一助熔剂均匀混合，经熔融处理制得第一致密化前驱体，第二金属氧化物前驱体与第二助熔剂均匀混合，经熔融处理制得第二致密化前驱体；将第一致密化前驱体和第二致密化前驱体置于化学气相沉积反应室高温区的不同位置，将硫源或硒源置于反应室低温区，将生长衬底置于反应室高温区，通入载气气氛；在载气气氛下，将反应室高温区升温至预设生长温度，保温反应，在生长衬底制得过渡金属二硫族化合物异质结。旨在解决不同前驱体在同一温区内释放，容易导致不可控的混合、合金化或随机成核的技术问题。