一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用

本发明涉及氧化镓外延技术领域，具体而言，涉及一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用。具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底的制备方法包括：在衬底上形成光刻胶层，采用具有非正五边形的光刻版对光刻胶层进行曝光和显影，再经坚膜，形成具有非正五边形的光刻胶掩膜；对形成有光刻胶掩膜的衬底进行溶液修饰和清洗，得到具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底；非正五边形具有至少两条不等长的边。采用该具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底进行外延生长氧化镓薄膜，能够将衬底的缺陷和早期形核的位错等缺陷折断在初期形核层，达到过滤位错的作用；且该方法适用于各类衬底，不限定于同质外延。