一种电子束光刻三维显影仿真计算方法

本发明是一种面向电子束光刻三维显影仿真计算的方法，其方法包括：S1光刻胶类型分类及统一网格建立；S2计算三维电子束能量沉积密度场；S3计算初始光酸浓度分布，仅对化学放大胶执行；S4计算三维材料状态场；S5计算三维显影速率场；S6采用快速扫描法求解三维程函方程；S7提取三维显影区域和显影轮廓；S8标定材料参数并进行独立验证。本发明采用蒙特卡洛电子仿真结果拟合随深度变化的双高斯点扩散函数，将二维电子束曝光剂量分布转换为光刻胶内部的三维能量沉积密度场，并根据化学放大胶或非化学放大胶的材料响应关系计算三维显影速率场和显影液到达时间场。本发明最大特点是在统一三维网格中耦合电子束能量沉积、光刻胶材料状态变化和三维显影过程，采用快速扫描法求解程函方程，得到规定显影时间下的三维显影区域和显影轮廓；这种方法能够适用于化学放大胶和非化学放大胶的电子束三维显影仿真，并可通过实验轮廓数据对模型参数进行标定和验证。