高性能薄膜体声波谐振器及其制作方法

本发明公开了一种高性能薄膜体声波谐振器及其制作方法，属于第三代半导体技术与射频前端器件领域，从底往顶依次包括衬底、支撑层、底电极、压电层、顶电极，衬底上设置有空腔，压电层上设置有边界环；顶电极的中部与压电层接触，边缘设置在边界环的二级阶梯上，第一级阶梯为与压电层接触的压电材料层，第二级阶梯为设置在第一级阶梯上且里外交替分布的金属材料层和二氧化硅层。本发明通过在边界环引入压电材料，在边界处激发出与有源区压电材料的相位相反的兰姆波，从而实现兰姆波的相位抵消，抑制其携带能量的泄露，并针对压电材料的本征杂散模式，构建多层声阻抗匹配的边界环结构，形成杂散模式的泄露通路，从而提高滤波器的带外抑制能力。