一种降低PD-SOI MOS器件高温漏电的BOX界面修复方法

本发明公开一种降低PD‑SOI MOS器件高温漏电的BOX界面修复方法，本发明在PD‑SOI MOS器件的所有高温工艺完成之后，从衬底硅的背面对埋氧层与衬底硅之间的界面进行修复处理。所述修复处理包括背面激光退火和/或背面氢退火，用于消除或降低该界面在高温工艺中产生的缺陷、应力损伤和杂质聚集。由于该界面的缺陷和应力是顶层硅底部中性区缺陷产生的主要源头，修复该界面可从根源上阻断缺陷向中性区的传播，提高中性区少数载流子寿命，从而抑制高温下PN结反偏扩散漏电流。本发明不损伤有源区，与标准CMOS工艺兼容。因此，本发明适用于PD‑SOI工艺在航空航天、汽车电子、石油钻井等高温环境中的应用效果。