半导体结构及其形成方法

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一伪栅极结构和位于第一伪栅极结构两侧衬底内的第一源漏区；在衬底上形成介质层，所述介质层暴露出所述第一伪栅极结构顶部表面；去除所述第一伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出衬底表面；对所述第一开口底部的部分衬底进行离子注入，在所述第一开口底部衬底内形成掺杂区，所述掺杂区至少与第一伪栅极结构一侧的第一源漏区相邻，所述掺杂区的导电类型与所述第一源漏区的导电类型相同。所述方法形成的半导体结构能够在提升器件的饱和驱动电流（Idsat），进而提升开关速度的同时，避免静态功耗变大，进而避免关态漏电流（Ioff）变大。