JFET器件

本发明公开了一种JFET器件，器件单元结构包括：形成于沟槽的侧面和底部表面处的栅极区，源区形成于沟槽之间的平台区的顶部表面且分为宽度等于平台区宽度的第一源区和宽度小于平台区宽度的第二源区，在平台区的长度方向上第一和第二源区相接触，源极接触孔位于第一源区的顶部，且源极接触孔和第一源区的部分或全部区域接触；源极接触孔顶部连接到源极。漂移区到源极之间形成有由第一源区底部的沟道区、第一源区到源极接触孔的第一导通路径以及由第二源区底部的沟道区、第二源区、第一源区到源极接触孔的第二导通路径；第二导通路径中具有从第二源区到第一源区的路径形成的第一内部源极电阻。本发明能实现器件电流的自适应负反馈平衡。