集成电路（IC）器件及其形成方法

本发明的实施例提供了一种集成电路器件，包括：半导体层部分，具有正侧表面和背侧表面，且所述背侧表面在第一方向上与所述正侧表面间隔开，所述正侧表面和所述背侧表面各自在至少在与所述第一方向横向的第二方向上延伸；以及第一二极管，包括：第一掺杂区域，布置于所述半导体层部分中；第二掺杂区域，布置于所述半导体层部分中且与所述第一掺杂区域间隔开；第一导电接触件结构，连接到所述第一掺杂区域；和第二导电接触件结构，连接到所述第二掺杂区域；所述第一掺杂区域比所述第二掺杂区域更靠近所述正侧表面，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在所述第二方向上彼此偏移。本发明的实施例还提供了一种形成集成电路器件的方法。