一种改善多晶硅刻蚀负载效应的工艺集成方法

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种改善多晶硅刻蚀负载效应的工艺集成方法。该方法包括：在待刻蚀层上形成定义出功能图形和位于图形稀疏区域的牺牲图形的第一掩膜图形，以减小图形密度差异；刻蚀待刻蚀层，同步形成功能元件和牺牲元件；形成覆盖功能元件并暴露牺牲元件的第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，采用各向同性且对牺牲元件具有高选择比的刻蚀工艺，去除牺牲元件。本发明通过引入牺牲图形有效改善了刻蚀均匀性和元件形貌精度，同时利用保护掩膜与选择性各向同性刻蚀相结合的方式，实现了牺牲图形的无损、干净去除，工艺集成度高，与标准半导体工艺兼容，可显著提升器件的电学性能与可靠性。