一种3D堆叠封装结构及制备方法

本发明提供了一种3D堆叠封装结构及制备方法，其解决传统氧化硅介质结构刚性不足、散热差、应力缓冲弱的问题，有效降低硅基底整体翘曲，大幅改善后续多层制程应力拉扯形变，提升晶圆整体平整度与制程稳定性。其包括：硅基基底；芯片；绝缘缓冲层，其为纯金刚石绝缘缓冲层或多层复合缓冲绝缘结构，所述多层复合缓冲绝缘结构的底层为金刚石层；整体绝缘干膜；正面多层重布线层，其包括至少两层RDL重布线线路，位于底层的RDL重布线线路为第一层RDL重布线线路，位于顶层的RDL重布线线路为顶层RDL重布线线路；以及背面多层重布线层，其包括至少一层RDL重布线线路。