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本发明提供了一种周转盒及其调节方法，可以实现不同规格引线框架的兼容存放，并且保持周转盒外形尺寸统一，可以减少周转盒种类数量、降低仓储占用空间，提高生产线的自动化兼容性和管理效率，包括：周转盒主体，周转盒主体的内部设置有用于容纳半导体封装载体的存放区域；周转盒主体的内部沿其长度方向间隔设置有多个安装位；长度调节挡块，可拆卸地安装于选定的安装位上，用于调整存放区域沿长度方向的尺寸；宽度调节挡块，设置于存放区域沿宽度方向的两侧，宽度调节挡块可拆卸地安装于周转盒主体上，用于调整存放区域沿宽度方向的尺寸；长度调节挡块与宽度调节挡块共同形成适配不同规格半导体封装载体的限位存放空间。

本发明提供了一种晶圆级封装结构及制备方法，可解决传统封装散热效率低、电磁串扰显著、寄生参数偏高、晶圆翘曲明显、量产良率不足的问题，实现高集成度、优异散热性能与晶圆级量产能力的兼顾。其包括：高导热铜板层；大功率芯片组，其包括有至少一片大功率芯片；硅基封装层，其包括硅晶圆、硅凹槽、厚胶层、TSV硅通孔及TSV导电互联柱；第一重布线层；以及N组上层封装单元，N为大于等于1的自然数，N组相邻的上层封装单元高度方向层叠布置，且每个上层封装单元均包括有塑封层、至少一片小功率芯片以及重布线层，位于顶层的上层封装单元的重布线层为顶层重布线层，所述顶层重布线层上设置有若干锡球。

本发明提供了一种3D堆叠封装结构及制备方法，其解决传统氧化硅介质结构刚性不足、散热差、应力缓冲弱的问题，有效降低硅基底整体翘曲，大幅改善后续多层制程应力拉扯形变，提升晶圆整体平整度与制程稳定性。其包括：硅基基底；芯片；绝缘缓冲层，其为纯金刚石绝缘缓冲层或多层复合缓冲绝缘结构，所述多层复合缓冲绝缘结构的底层为金刚石层；整体绝缘干膜；正面多层重布线层，其包括至少两层RDL重布线线路，位于底层的RDL重布线线路为第一层RDL重布线线路，位于顶层的RDL重布线线路为顶层RDL重布线线路；以及背面多层重布线层，其包括至少一层RDL重布线线路。

本发明提供了一种硅通孔互连结构及制备方法，其避免应力在拐角处集中，且降低热循环过程中不同材料间的热应力差值，进一步缓解应力集中现象，提升结构可靠性。一种硅通孔互连结构，其包括：硅基底；硅通孔，其为斜孔硅通孔或直孔硅通孔；钝化层；互连结构；以及阻焊层；所述硅通孔形成于硅基底、并在厚度方向连通到下方的芯片焊盘，所述硅通孔的底部径向外围、侧壁以及硅基底的上表面复合有所述钝化层，所述钝化层的上还复合有所述阻焊层，所述阻焊层、钝化层对应于硅通孔的区域设置有连通至芯片含片的通道，所述通道内填充所述互连结构。