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二硅化钼系陶瓷发热体、陶瓷的制造方法以及二硅化钼系陶瓷发热体的制造方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

冈田悠希; 成田里安

출원일

Dec 11, 2024

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H05B 3/14 (2006.01)C04B 35/58 (2006.01)

一种二硅化钼系陶瓷发热体,其中,所述二硅化钼系陶瓷发热体具有:母材,含有(MoW)Si(x满足0.30≤x<0.40);以及氧化皮膜,覆盖所述母材的表面而形成,含有SiO和Al,Al含量为200质量ppm以上,W含量为30质量%~37质量%。