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Dossier
半导体装置的制造方法及抑制填角形成的方法
InventionUnknown
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
林出明子; 田泽强; 平田俊太郎; 佐藤慎
Filing Date
Mar 4, 2025
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H10W 72/00 (2026.01)H10P 58/00 (2026.01)
一种半导体装置的制造方法,其具备以下工序:(a)准备层叠体,该层叠体具备半导体晶圆及配置于半导体晶圆上的黏合剂层;(b)通过对层叠体进行切割来获得多个带黏合剂片的芯片,该带黏合剂片的芯片具备半导体芯片及配置于半导体芯片上的黏合剂片;及(c)将带黏合剂片的芯片接合于接合对象物,黏合剂层及黏合剂片均含有具有黏合性的树脂成分及分散于树脂成分中的填料,在(b)工序实施后且(c)工序实施前,向黏合剂片的表面照射等离子体,或者在(b)工序实施前,向黏合剂层的表面照射等离子体。
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