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Yb/Ho共掺杂钆硼硅酸盐材料及其制备方法和光电子器件
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘卉昇; 薛爽; 吴楚涵; 张学建; 李永涛; 曾繁明; 李春; 齐海娜; 孙欣然; 陈汝嘉; 李莎莎
申请日
Jun 15, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
C09K 11/79 (2006.01)H01S 3/16 (2006.01)
本发明公开了一种Yb/Ho共掺杂钆硼硅酸盐材料及其制备方法和应用,属于发光材料与光电子器件技术领域,其包括以下组分:SiO;BO;GdF;CaO;BiO;HoO;YbO,其中,按摩尔份数计,35份SiO;20~27份BO;20份GdF;15份CaO;3份BiO;1份HoO和1~4份YbO。本发明的钆硼硅酸盐材料体系(SiO‑HBO‑GdF‑CaO‑BiO),引入GdF有效降低了材料的最大声子能量(786cm),减少了非辐射弛豫过程,提高了稀土离子的发光效率。
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