一种SiC MOSFET的失效测试方法、装置及电子设备

本发明公开一种SiC MOSFET的失效测试方法、装置及电子设备，通过用于表征待测器件的体二极管压降与结温之间的变化关系的结温变化模型，能够利用待测器件的实时体二极管压降实现范围为30℃~240℃的非侵入式结温监测，从而无需破坏待测器件的封装结构，避免待测器件在功率循环测试过程中的老化进程受外部环境因素影响，进而保证了对于SiC MOSFET在高温条件下的失效测试结果的可靠性和准确性。