基于碳掺杂GeSbTe的相变突触阵列的控制方法及应用

本发明公开了一种基于碳掺杂GeSbTe的相变突触阵列的控制方法及应用，属于微电子技术和存算一体技术领域，包括：对相变突触单元进行初始化；以第一电导和第二电导的电导差表示神经网络的突触权重；当神经网络中突触的目标权重需要减小时，对第一相变存储单元施加RESET脉冲；当突触的目标权重需要增大时，对第二相变存储单元施加RESET脉冲；读取第一相变存储单元和第二相变存储单元的电导，并根据读取结果获得每个相变突触单元更新后的突触目标权重。本发明基于碳掺杂GeSbTe的低电阻漂移差分相变突触阵列结构，通过RESET操作调控神经网络权重，提高相变突触阵列中多级权重的稳定性和神经网络计算可靠性。