边缘刻蚀方法、装置、设备、介质及半导体工艺方法

本申请实施例提供了一种边缘刻蚀方法、装置、设备及半导体工艺方法。边缘刻蚀方法包括：在对晶圆进行边缘刻蚀的过程中，监测晶圆边缘区域内多个监测点的刻蚀速率；将多个所述监测点的刻蚀速率分别与对应的阈值范围进行比较，得到比较结果；根据所述比较结果，确定所述晶圆边缘区域的刻蚀均匀性是否满足要求。本申请实施例提供的边缘刻蚀方法、装置、设备及半导体工艺方法可以在将晶圆边缘区域上残留的目标膜层刻蚀干净的同时，不会对晶圆中心区域造成不利影响，有效提高了器件的性能和良率。