掩膜层返工方法

本申请公开了一种掩膜层返工方法，属于半导体技术领域。该掩膜层返工方法包括：提供基底以及位于所述基底上的掩膜层，所述掩膜层包括依次层叠设置在所述基底上的掩膜基层、硬掩膜层和待返工的光刻胶层；在所述光刻胶层返工后，对所述硬掩膜层进行第一刻蚀，以去除部分硬掩膜层；对剩余硬掩膜层和所述掩膜基层进行第二刻蚀，以去除所述剩余硬掩膜层和部分掩膜基层，所述第二刻蚀的刻蚀速率小于所述第一刻蚀的刻蚀速率；去除所述剩余掩膜基层。本申请能够消除掩膜层的缺陷，提高掩膜层的刻蚀效果，从而提高半导体器件的制造质量和良率。